Технические характеристики | |
Краткое описание | Объем: 1 Тб, Форм-фактор: M.2, Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), Тип микросхем Flash: 3D MLC NAND, Аппаратное шифрование: есть, Скорость последовательного чтения: 3500 Мб/с, Скорость последовательной записи: 2700 Мб/с |
Производитель | SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD, Samsung Main Building, 250, 2-ga Taepyung-ro Chung-gu, Seoul |
Тип | SSD |
Вес | 8 г |
Ширина | 22 мм |
Длина | 80 мм |
Высота | 2.38 мм |
Назначение | для ноутбука и настольного компьютера |
Форм-фактор | M.2 |
Емкость | 1000 Гб |
Шифрование данных | есть |
Поддержка секторов размером 4 Кб | есть |
Тип флэш-памяти | 3D MLC NAND |
Скорость чтения | 3500 Мб/с |
Скорость записи | 2700 Мб/с |
Контроллер | Samsung Phoenix |
Время наработки на отказ | 1500000 ч |
Ударостойкость при хранении | 1500 G |
Ударостойкость при работе | 1500 G |
Потребляемая мощность | 5.7 Вт |
Интерфейс PCI-E | есть |
Объем буфера | 1024 Мб |
Скорость случайной записи (блоки по 4 Кб) | 500000 IOPS |
Средняя скорость случайного чтения | 500 000 IOps |
Аппаратное шифрование | есть |
Потребляемая мощность в спящем режиме | 0.03 Вт |
Объем | 1 Тб |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 ч |
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3) |
Тип микросхем Flash | 3D MLC NAND |
Скорость последовательного чтения | 3500 Мб/с |
Скорость последовательной записи | 2700 Мб/с |
Средняя скорость случайной записи | 500 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись) | 5.7 Вт |
Энергопотребление (ожидание) | 0.03 Вт |
Радиатор охлаждения | нет |
Размеры М.2 | 2280 |
Буфер обмена | 1024 Мб |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников. Мы не можем гарантировать 100%-ную точность и полноту описаний товаров, поэтому обязательно уточняйте важные для вас параметры у наших продавцов или на официальных сайтах производителей.