Технические характеристики | |
Краткое описание | Объем: 2 Тб, Форм-фактор: M.2 (NVMe), Интерфейс: PCI Express 3.0 x4, Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND, Аппаратное шифрование: нет, Скорость последовательного чтения: 3200 Мб/с, Скорость последовательной записи: 3000 Мб/с |
Производитель | North Tec Asia Limited, Фю Цонь, г. Шанхай №3768, Китай |
Форм-фактор | M.2 (NVMe) |
Средняя скорость случайного чтения | 500 000 IOps |
Аппаратное шифрование | нет |
Объем | 2 Тб |
Дата выхода на рынок | 2021 |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1000000 ч |
Толщина | 2.38 мм |
Подсветка | нет |
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
Тип микросхем Flash | 3D QLC NAND |
Скорость последовательного чтения | 3200 Мб/с |
Скорость последовательной записи | 3000 Мб/с |
Средняя скорость случайной записи | 450 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись) | 1.1 Вт |
Энергопотребление (ожидание) | 0.25 Вт |
Радиатор охлаждения | нет |
Размеры М.2 | 2280 |
Ресурс записи | 100 TBW |
Адаптер 3.5" в комплекте | нет |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников. Мы не можем гарантировать 100%-ную точность и полноту описаний товаров, поэтому обязательно уточняйте важные для вас параметры у наших продавцов или на официальных сайтах производителей.