Silicon Power Ace A55 512GB SP512GBSS3A55S25
Технические характеристики | |
Краткое описание | Объем: 0.512 Тб, Форм-фактор: 2.5", Интерфейс: SATA 3.0, Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND, Скорость последовательного чтения: 560 Мб/с, Скорость последовательной записи: 530 Мб/с, Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч |
Производитель | North Tec Asia Limited, Фю Цонь, г. Шанхай №3768, Китай |
Форм-фактор | 2.5" |
Объем | 0.512 Тб |
Дата выхода на рынок | 2017 |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 ч |
Толщина | 7 мм |
Интерфейс | SATA 3.0 |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Скорость последовательного чтения | 560 Мб/с |
Скорость последовательной записи | 530 Мб/с |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников. Мы не можем гарантировать 100%-ную точность и полноту описаний товаров, поэтому обязательно уточняйте важные для вас параметры у наших продавцов или на официальных сайтах производителей.
