Технические характеристики | |
Краткое описание | Объем: 1 Тб, Форм-фактор: M.2, Интерфейс: PCI Express 4.0 x4, Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND, Аппаратное шифрование: есть, Скорость последовательного чтения: 7000 Мб/с, Скорость последовательной записи: 5100 Мб/с |
Производитель | SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD, Samsung Main Building, 250, 2-ga Taepyung-ro Chung-gu, Seoul |
Форм-фактор | M.2 |
Контроллер | Samsung Elpis |
Средняя скорость случайного чтения | 1 000 000 IOps |
Аппаратное шифрование | есть |
Объем | 1 Тб |
Дата выхода на рынок | 2021 |
Подсветка | нет |
Интерфейс | PCI Express 4.0 x4 |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Скорость последовательного чтения | 7000 Мб/с |
Скорость последовательной записи | 5100 Мб/с |
Средняя скорость случайной записи | 850 000 IOps |
Радиатор охлаждения | нет |
Размеры М.2 | 2280 |
Адаптер 3.5" в комплекте | нет |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников. Мы не можем гарантировать 100%-ную точность и полноту описаний товаров, поэтому обязательно уточняйте важные для вас параметры у наших продавцов или на официальных сайтах производителей.