Технические характеристики | |
Краткое описание | Объем: 3.84 Тб, Форм-фактор: M.2, Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe), Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND, Скорость последовательного чтения: 3000 Мб/с, Скорость последовательной записи: 1400 Мб/с, Средняя скорость случайного чтения: 480 000 IOps |
Производитель | SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD, Samsung Main Building, 250, 2-ga Taepyung-ro Chung-gu, Seoul |
Форм-фактор | M.2 |
Средняя скорость случайного чтения | 480 000 IOps |
Объем | 3.84 Тб |
Толщина | 7 мм |
Подсветка | нет |
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Скорость последовательного чтения | 3000 Мб/с |
Скорость последовательной записи | 1400 Мб/с |
Средняя скорость случайной записи | 42 000 IOps |
Радиатор охлаждения | нет |
Размеры М.2 | 22110 |
Адаптер 3.5" в комплекте | нет |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников. Мы не можем гарантировать 100%-ную точность и полноту описаний товаров, поэтому обязательно уточняйте важные для вас параметры у наших продавцов или на официальных сайтах производителей.