
Технические характеристики | |
Краткое описание | Объем: 0.48 Тб, Форм-фактор: 2.5", Интерфейс: SATA 3.0, Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND, Аппаратное шифрование: есть, Средняя скорость случайного чтения: 98 000 IOps, Средняя скорость случайной записи: 29 000 IOps |
Производитель | SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD, Samsung Main Building, 250, 2-ga Taepyung-ro Chung-gu, Seoul |
Форм-фактор | 2.5" |
Средняя скорость случайного чтения | 98 000 IOps |
Аппаратное шифрование | есть |
Объем | 0.48 Тб |
Время наработки на отказ (МТBF) | 2000000 ч |
Толщина | 7 мм |
Подсветка | нет |
Интерфейс | SATA 3.0 |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Средняя скорость случайной записи | 29 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись) | 3.2 Вт |
Энергопотребление (ожидание) | 1.5 Вт |
Радиатор охлаждения | нет |
Ресурс записи | 876 TBW |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников. Мы не можем гарантировать 100%-ную точность и полноту описаний товаров, поэтому обязательно уточняйте важные для вас параметры у наших продавцов или на официальных сайтах производителей.