Samsung 990 2TB MZ-V9V2T0BW
Технические характеристики | |
Краткое описание | Объем: 2 Тб, Форм-фактор: M.2, Интерфейс: PCI Express 4.0 x4, Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND, Аппаратное шифрование: есть, Средняя скорость случайного чтения: 850 000 IOps, Средняя скорость случайной записи: 1 200 000 IOps |
Производитель | SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD, Samsung Main Building, 250, 2-ga Taepyung-ro Chung-gu, Seoul |
Форм-фактор | M.2 |
Контроллер | Samsung PiccoloQ |
Средняя скорость случайного чтения | 850 000 IOps |
Аппаратное шифрование | есть |
Объем | 2 Тб |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 ч |
Толщина | 2.38 мм |
Подсветка | нет |
Интерфейс | PCI Express 4.0 x4 |
Тип микросхем Flash | 3D QLC NAND |
Средняя скорость случайной записи | 1 200 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись) | 4.3 Вт |
Энергопотребление (ожидание) | 0.055 Вт |
Радиатор охлаждения | нет |
Размеры М.2 | 2280 |
Ресурс записи | 800 TBW |
Совместимость с PS5 | есть |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников. Мы не можем гарантировать 100%-ную точность и полноту описаний товаров, поэтому обязательно уточняйте важные для вас параметры у наших продавцов или на официальных сайтах производителей.
