Samsung 9100 Pro 1TB MZ-VAP1T0BW

Технические характеристики

Краткое описание
Объем: 1 Тб, Форм-фактор: M.2, Интерфейс: PCI Express 5.0 x4, Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND, Аппаратное шифрование: есть, Средняя скорость случайного чтения: 1 850 000 IOps, Средняя скорость случайной записи: 2 600 000 IOps
Производитель
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD, Samsung Main Building, 250, 2-ga Taepyung-ro Chung-gu, Seoul
Форм-фактор
M.2
Контроллер
Samsung Presto S4LY027
Средняя скорость случайного чтения
1 850 000 IOps
Аппаратное шифрование
есть
Объем
1 Тб
Время наработки на отказ (МТBF)
1500000 ч
Толщина
2.38 мм
Подсветка
нет
Интерфейс
PCI Express 5.0 x4
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Средняя скорость случайной записи
2 600 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись)
7.6 Вт
Энергопотребление (ожидание)
4 Вт
Радиатор охлаждения
нет
Размеры М.2
2280
Ресурс записи
600 TBW
Совместимость с PS5
есть

Вышеприведенная информация получена из открытых источников. Мы не можем гарантировать 100%-ную точность и полноту описаний товаров, поэтому обязательно уточняйте важные для вас параметры у наших продавцов или на официальных сайтах производителей.