Технические характеристики | |
Краткое описание | Объем: 1 Тб, Форм-фактор: M.2, Интерфейс: PCI Express 3.0 x4, Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND, Скорость последовательного чтения: 2100 Мб/с, Скорость последовательной записи: 2500 Мб/с, Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч |
Форм-фактор | M.2 |
Объем | 1 Тб |
Время наработки на отказ (МТBF) | 2000000 ч |
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Скорость последовательного чтения | 2100 Мб/с |
Скорость последовательной записи | 2500 Мб/с |
Размеры М.2 | 2280 |
Ресурс записи | 600 TBW |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников. Мы не можем гарантировать 100%-ную точность и полноту описаний товаров, поэтому обязательно уточняйте важные для вас параметры у наших продавцов или на официальных сайтах производителей.