Gigabyte NVMe 512GB GP-GSM2NE3512GNTD
Технические характеристики | |
Краткое описание | Объем: 0.500 Тб, Форм-фактор: M.2, Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND, Аппаратное шифрование: нет, Скорость последовательного чтения: 1700 Мб/с, Скорость последовательной записи: 1550 Мб/с |
Форм-фактор | M.2 |
Контроллер | Phison PS5008-E8 |
Средняя скорость случайного чтения | 270 000 IOps |
Аппаратное шифрование | нет |
Объем | 0.500 Тб |
Дата выхода на рынок | 2019 |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 ч |
Толщина | 2.3 мм |
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3) |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Скорость последовательного чтения | 1700 Мб/с |
Скорость последовательной записи | 1550 Мб/с |
Средняя скорость случайной записи | 340 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись) | 3.3 Вт |
Энергопотребление (ожидание) | 0.0018 Вт |
Радиатор охлаждения | нет |
Размеры М.2 | 2280 |
Ресурс записи | 800 TBW |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников. Мы не можем гарантировать 100%-ную точность и полноту описаний товаров, поэтому обязательно уточняйте важные для вас параметры у наших продавцов или на официальных сайтах производителей.
