Объем: 0.256 Тб, Форм-фактор: M.2, Интерфейс: PCI Express 3.0 x4, Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND, Аппаратное шифрование: нет, Энергопотребление (чтение/запись): 4.2 Вт, Энергопотребление (ожидание): 0.035 Вт
Объем: 1 Тб, Форм-фактор: M.2, Интерфейс: PCI Express 4.0 x4, Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND, Аппаратное шифрование: нет, Энергопотребление (чтение/запись): 4.99 Вт, Время наработки на отказ (МТBF): 1600000 ч
Объем: 4 Тб, Форм-фактор: M.2, Интерфейс: PCI Express 4.0 x4, Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND, Аппаратное шифрование: нет, Энергопотребление (чтение/запись): 6.81 Вт, Время наработки на отказ (МТBF): 1600000 ч
Объем: 2 Тб, Форм-фактор: M.2, Интерфейс: PCI Express 4.0 x4, Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND, Аппаратное шифрование: нет, Энергопотребление (чтение/запись): 6.02 Вт, Время наработки на отказ (МТBF): 1600000 ч
Обратная связь

