
Объем: 1 Тб, Форм-фактор: M.2, Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND, Аппаратное шифрование: нет, Время наработки на отказ (МТBF): 1600000 ч, Толщина: 3.5 мм
Объем: 2 Тб, Форм-фактор: M.2, Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND, Аппаратное шифрование: нет, Время наработки на отказ (МТBF): 1600000 ч, Толщина: 3.5 мм
Объем: 1 Тб, Форм-фактор: M.2, Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe), Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND, Время наработки на отказ (МТBF): 1600000 ч, Толщина: 2.1 мм, Подсветка: нет
Объем: 1 Тб, Форм-фактор: 2.5", Интерфейс: SATA 3.0, Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND, Аппаратное шифрование: нет, Время наработки на отказ (МТBF): 1600000 ч, Толщина: 7 мм
Обратная связь