Технические характеристики | |
Краткое описание | Модельный ряд: Xeon, Кодовое название кристалла: Broadwell, Сокет: LGA2011-3, Дата выхода на рынок: 2016 г., Количество ядер: 8, Тактовая частота: 1.7 ГГц, Количество каналов памяти: 4 |
Производитель | uwon-si, Gyeonggi-do, 443-742, Malaysia, Penang |
Техпроцесс | 14 нм |
Количество ядер | 8 |
Тактовая частота | 1.7 ГГц |
Дата выхода на рынок | 2016 г. |
Частота памяти | 1866 МГц |
Модельный ряд | Xeon |
Кодовое название кристалла | Broadwell |
Сокет | LGA2011-3 |
Количество каналов памяти | 4 |
Боксовая версия | нет |
Поддержка памяти | DDR4 |
Встроенный контроллер PCI Express | есть |
Энергопотребление (TDP) | 85 Вт |
Кэш L3 | 20 Мб |
Виртуализация Intel VT-x | есть |
Виртуализация Intel VT-d | есть |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников. Мы не можем гарантировать 100%-ную точность и полноту описаний товаров, поэтому обязательно уточняйте важные для вас параметры у наших продавцов или на официальных сайтах производителей.